Підкладки GaAs поділяються на провідні та напівізоляційні, які широко використовуються в лазерах (LD), напівпровідникових світлодіодах (LED), лазерах ближнього інфрачервоного діапазону, потужних лазерах із квантовою ямою та високоефективних сонячних панелях.Мікросхеми HEMT і HBT для радіолокаційних, мікрохвильових, міліметрових або надшвидкісних комп'ютерів і оптичних комунікацій;Радіочастотні пристрої для бездротового зв'язку, 4G, 5G, супутникового зв'язку, WLAN.
Останнім часом підкладки з арсеніду галію також досягли значного прогресу в міні-світлодіодах, мікро-світлодіодах і червоних світлодіодах і широко використовуються в носимих пристроях AR/VR.
| Діаметр | 50 мм |75 мм |100 мм |150 мм |
| Метод зростання | LEC液封直拉法 |
| Товщина пластини | 350 мкм ~ 625 мкм |
| Орієнтація | <100> / <111> / <110> або інші |
| Провідний тип | P – тип / N – тип / Напівізоляційний |
| Тип/Допант | Zn / Si / нелегований |
| Концентрація носія | 1E17 ~ 5E19 см-3 |
| Питомий опір при кімнатній температурі | ≥1E7 для СІ |
| Мобільність | ≥4000 |
| EPD (Etch Pit Density) | 100~1E5 |
| TTV | ≤ 10 мкм |
| Лук / Деформація | ≤ 20 мкм |
| Оздоблення поверхні | DSP/SSP |
| Лазерна позначка |
|
| Оцінка | Епіполірований сорт / механічний клас |
-
Постачання виробництва Різні специфікації в привіт...
-
Гнучкий графітовий м'який фетр для теплоізоляції
-
Керамічна пластина з карбіду кремнію високої чистоти
-
Носій SiC для термообробки швидкого нагріву RTP/RTA...
-
Токоприймач стовбура з покриттям з карбіду кремнію
-
Налаштований напівпровідник з карбіду кремнію...