Графітовий токоприймач із покриттям з карбіду кремнію, бочка

Графітовий токоприймач із покриттям з карбіду кремнію, лоток для стовбура. Представлене зображення

Короткий опис:

Semicera пропонує повний асортимент токоприймачів і графітових компонентів, розроблених для різних реакторів епітаксії.

Завдяки стратегічному партнерству з провідними виробниками комплектного обладнання, широкому досвіду роботи з матеріалами та розширеним виробничим можливостям Semicera пропонує індивідуальні конструкції, які відповідають конкретним вимогам вашого застосування.Наше прагнення до досконалості гарантує, що ви отримаєте оптимальні рішення для своїх потреб у епітаксійному реакторі.

Надішліть нам електронний лист

Деталі продукту

Теги товарів

опис

Наша компанія надає послуги з нанесення покриття SiC методом CVD на поверхню графіту, кераміки та інших матеріалів, завдяки чому спеціальні гази, що містять вуглець і кремній, реагують при високій температурі для отримання високочистих молекул SiC, молекул, що осаджуються на поверхні покритих матеріалів, формування SIC захисного шару.

про (1)

про (2)

Основні риси

1. Високочистий графіт із покриттям SiC

2. Чудова термостійкість і теплова однорідність

3. Тонкий кристал SiC з покриттям для гладкої поверхні

4. Висока стійкість до хімічного очищення

Основні характеристики покриття CVD-SIC

Властивості SiC-CVD
Кристалічна структура	FCC β фаза
Щільність	г/см³	3.21
Твердість	Твердість за Віккерсом	2500
Розмір зерна	мкм	2~10
Хімічна чистота	%	99,99995
Теплоємність	Дж·кг-1 ·К-1	640
Температура сублімації	℃	2700
Згинальна сила	МПа (RT 4 точки)	415
Модуль Юнга	Gpa (вигин 4 точки, 1300 ℃)	430
Теплове розширення (CTE)	10-6К-1	4.5
Теплопровідність	(Вт/мК)	300