Графітовий токоприймач із покриттям з карбіду кремнію

Короткий опис:

Graphite Susceptor із покриттям з карбіду кремнію Semicera Semiconductor забезпечує виняткову теплопровідність і довговічність для застосування в епітаксії. Покладіться на Semicera для вдосконалених токоприймачів, розроблених для покращення ваших епітаксійних процесів за допомогою чудової технології покриття SiC.

Надішліть нам електронний лист

Деталі продукту

Теги товарів

опис

Графітові датчики Semicera з покриттям SiC розроблені з використанням високоякісних графітових підкладок, які ретельно покриті карбідом кремнію (SiC) за допомогою передових процесів хімічного осадження з парової фази (CVD). Ця інноваційна конструкція забезпечує виняткову стійкість до термічного удару та хімічної деградації, значно подовжуючи термін служби графітового чутливого елемента з покриттям SiC і гарантуючи надійну роботу протягом усього процесу виробництва напівпровідників.

Ключові характеристики:

1. Чудова теплопровідністьГрафітовий токоприймач із покриттям SiC демонструє виняткову теплопровідність, що є вирішальним для ефективного розсіювання тепла під час виробництва напівпровідників. Ця функція мінімізує температурні градієнти на поверхні пластини, сприяючи рівномірному розподілу температури, необхідному для досягнення бажаних властивостей напівпровідника.

2. Надійна стійкість до хімічних і термічних ударівПокриття SiC забезпечує потужний захист від хімічної корозії та теплового удару, зберігаючи цілісність графітового чутливого елемента навіть у жорстких умовах обробки. Ця підвищена довговічність скорочує час простою та подовжує термін служби, сприяючи підвищенню продуктивності та економічній ефективності на підприємствах з виробництва напівпровідників.

3. Налаштування для конкретних потребНаші графітові токоприймачі з SiC-покриттям можна адаптувати відповідно до конкретних вимог і переваг. Ми пропонуємо низку варіантів налаштування, включаючи коригування розміру та зміну товщини покриття, щоб забезпечити гнучкість конструкції та оптимізовану продуктивність для різних застосувань і параметрів процесу.

Застосування:

Застосування Покриття Semicera SiC використовуються на різних етапах виробництва напівпровідників, зокрема:
1. -Виготовлення світлодіодних мікросхем
2. -Виробництво полікремнію
3. -Ріст кристалів напівпровідників
4. Епітаксія кремнію та SiC
5. Термічне окислення та дифузія (TO&D)