Напівпровідниковий монокристалічний кремнієвий епітаксіальний диск із покриттям SiC

Напівпровідниковий монокристалічний кремнієвий епітаксійний диск із покриттям SiC Показане зображення

Короткий опис:

Semicera Energy Technology Co., Ltd. є провідним постачальником, що спеціалізується на витратних матеріалах для пластин і сучасних напівпровідників.Ми прагнемо надавати високоякісні, надійні та інноваційні продукти для виробництва напівпровідників,фотоелектрична промисловістьта інші суміжні галузі.

Наша лінійка продуктів включає графітові вироби з покриттям SiC/TaC і керамічні вироби, що включають різні матеріали, такі як карбід кремнію, нітрид кремнію, оксид алюмінію тощо.

Як надійний постачальник, ми розуміємо важливість витратних матеріалів у виробничому процесі, і ми прагнемо постачати продукцію, яка відповідає найвищим стандартам якості, щоб задовольнити потреби наших клієнтів.

Надішліть нам електронний лист

Деталі продукту

Теги товарів

опис

Наша компанія надаєSiC покриттяобробляти послуги методом CVD на поверхні графіту, кераміки та інших матеріалів, так що спеціальні гази, що містять вуглець і кремній, реагують при високій температурі з отриманням високочистих молекул SiC, молекул, що осідають на поверхні покритих матеріалів, утворюючиЗахисний шар SIC.

Епітаксіальний лист монокристалічного кремнію

Основні риси

1. Стійкість до високотемпературного окислення:
Стійкість до окислення все ще дуже висока, коли температура досягає 1600 C.
2. Висока чистота: зроблено шляхом хімічного осадження з парової фази в умовах високотемпературного хлорування.
3. Стійкість до ерозії: висока твердість, компактна поверхня, дрібні частинки.
4. Стійкість до корозії: кислоти, луги, солі та органічні реагенти.

Основні характеристики покриття CVD-SIC

Властивості SiC-CVD
Кристалічна структура	FCC β фаза
Щільність	г/см³	3.21
Твердість	Твердість за Віккерсом	2500
Розмір зерна	мкм	2~10
Хімічна чистота	%	99,99995
Теплоємність	Дж·кг-1 ·К-1	640
Температура сублімації	℃	2700
Згинальна сила	МПа (RT 4 точки)	415
Модуль Юнга	Gpa (вигин 4 точки, 1300 ℃)	430
Теплове розширення (CTE)	10-6К-1	4.5
Теплопровідність	(Вт/мК)	300