Епітаксія GaN на основі кремнію

Опис продукту

Наша компанія надаєSiC покриттяобробляти послуги методом CVD на поверхні графіту, кераміки та інших матеріалів, так що спеціальні гази, що містять вуглець і кремній, реагують при високій температурі з отриманням високочистих молекул SiC, молекул, що осідають на поверхні покритих матеріалів, утворюючиЗахисний шар SIC.

Основні риси:

1. Стійкість до високотемпературного окислення:

Стійкість до окислення все ще дуже висока, коли температура досягає 1600 C.

2. Висока чистота: зроблено шляхом хімічного осадження з парової фази в умовах високотемпературного хлорування.

3. Стійкість до ерозії: висока твердість, компактна поверхня, дрібні частинки.

4. Стійкість до корозії: кислоти, луги, солі та органічні реагенти.