опис
TheДиск з карбіду кремніюдля MOCVD від semicera, високоефективного рішення, розробленого для оптимальної ефективності в процесах епітаксіального росту. Диск із карбіду кремнію Semicera забезпечує виняткову термічну стабільність і точність, що робить його важливим компонентом у процесах SiC і SiC епітаксії. Розроблений таким чином, щоб витримувати високі температури та складні умови застосування MOCVD, цей диск забезпечує надійну роботу та довговічність.
Наш диск із карбіду кремнію сумісний із широким спектром налаштувань MOCVD, зокремаСусцептор MOCVDсистеми та підтримує передові процеси, такі як епітаксія GaN на SiC. Він також легко інтегрується з системами PSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier і RTP Carrier, підвищуючи точність і якість вашого виробництва. Незалежно від того, чи використовується він для виробництва монокристалічного кремнію чи світлодіодних епітаксійних токоприймачів, цей диск забезпечує виняткові результати.
Крім того, карбідно-кремнієвий диск semicera адаптується до різних конфігурацій, у тому числі до конфігурацій типу Pancake Susceptor і Barrel Susceptor, забезпечуючи гнучкість у різноманітних виробничих середовищах. Включення фотоелектричних частин ще більше розширює їх застосування в галузях сонячної енергетики, роблячи їх універсальними та незамінними компонентами для сучаснихепітаксійнийзростання та виробництво напівпровідників.
Основні характеристики
1. Високочистий графіт із покриттям SiC
2. Чудова термостійкість і теплова однорідність
3. ШтрафКристалічний шар SiCдля гладкої поверхні
4. Висока стійкість до хімічного очищення
Основні характеристики CVD-SIC покриттів:
SiC-CVD | ||
Щільність | (г/куб.см) | 3.21 |
Міцність на вигин | (МПа) | 470 |
Теплове розширення | (10-6/K) | 4 |
Теплопровідність | (Вт/мК) | 300 |
Упаковка та доставка
Можливість постачання:
10000 шт./шт. на місяць
Упаковка та доставка:
Упаковка: стандартна та міцна упаковка
Поліетиленовий мішок + коробка + коробка + піддон
Порт:
Нінбо/Шеньчжень/Шанхай
Час виконання:
Кількість (шт.) | 1-1000 | >1000 |
Приблизно Час (дні) | 30 | Підлягає переговорам |