SiC Caoted GAN Epi Wafer Carrier

Короткий опис:

Носій пластини GaN Epi з покриттям SiC від Semicera Semiconductor забезпечує виняткову довговічність і термічну стабільність для процесів епітаксії GaN. Довіртеся Semicera для високопродуктивних носіїв із передовою технологією покриття SiC, призначених для оптимізації роботи з пластинами та підвищення ефективності.

Надішліть нам електронний лист

Деталі продукту

Теги товарів

опис

Semicera GaN Epitaxy Carrier ретельно розроблено, щоб відповідати суворим вимогам сучасного виробництва напівпровідників. Базуючись на високоякісних матеріалах і точних інженерах, цей носій виділяється своєю винятковою продуктивністю та надійністю. Інтеграція покриття карбіду кремнію (SiC) із хімічного осадження з парової фази (CVD) забезпечує чудову довговічність, термічну ефективність і захист, що робить його кращим вибором для професіоналів галузі.

Ключові характеристики

1. Виняткова довговічністьПокриття CVD SiC на носії епітаксії GaN підвищує його стійкість до зношування, значно подовжуючи термін його служби. Така міцність забезпечує постійну продуктивність навіть у складних виробничих умовах, зменшуючи потребу в частій заміні та обслуговуванні.

2. Висока теплова ефективністьУправління температурою має вирішальне значення у виробництві напівпровідників. Покращені теплові властивості GaN Epitaxy Carrier сприяють ефективному розсіюванню тепла, підтримуючи оптимальні температурні умови під час процесу епітаксійного росту. Ця ефективність не тільки покращує якість напівпровідникових пластин, але й підвищує загальну ефективність виробництва.

3. Захисні можливостіПокриття SiC забезпечує надійний захист від хімічної корозії та термічних ударів. Це забезпечує збереження цілісності носія протягом усього виробничого процесу, захищаючи делікатні напівпровідникові матеріали та підвищуючи загальний вихід і надійність виробничого процесу.