опис
Носій Semicera GaN Epitaxy Carrier ретельно розроблений, щоб відповідати суворим вимогам сучасного виробництва напівпровідників. Базуючись на високоякісних матеріалах і точних інженерах, цей носій виділяється своєю винятковою продуктивністю та надійністю. Інтеграція покриття карбіду кремнію (SiC) із хімічного осадження з парової фази (CVD) забезпечує чудову довговічність, термічну ефективність і захист, що робить його кращим вибором для професіоналів галузі.
Ключові характеристики
1. Виняткова довговічністьПокриття CVD SiC на носії епітаксії GaN підвищує його стійкість до зношування, значно подовжуючи термін його служби. Така міцність забезпечує постійну продуктивність навіть у складних виробничих умовах, зменшуючи потребу в частій заміні та обслуговуванні.
2. Висока теплова ефективністьУправління температурою має вирішальне значення у виробництві напівпровідників. Покращені теплові властивості GaN Epitaxy Carrier сприяють ефективному розсіюванню тепла, підтримуючи оптимальні температурні умови під час процесу епітаксійного росту. Ця ефективність не тільки покращує якість напівпровідникових пластин, але й підвищує загальну ефективність виробництва.
3. Захисні можливостіПокриття SiC забезпечує надійний захист від хімічної корозії та термічних ударів. Це забезпечує збереження цілісності носія протягом усього виробничого процесу, захищаючи делікатні напівпровідникові матеріали та підвищуючи загальний вихід і надійність виробничого процесу.
Технічні характеристики:
Застосування:
Semicorex GaN Epitaxy Carrier ідеально підходить для різноманітних процесів виробництва напівпровідників, зокрема:
• Епітаксійне зростання GaN
• Високотемпературні напівпровідникові процеси
• Хімічне осадження з парової фази (CVD)
• Інші передові програми для виробництва напівпровідників
