Напівпровідникова епітаксія GaN на основі кремнію

Короткий опис:

Semicera Energy Technology Co., Ltd. є провідним постачальником вдосконаленої напівпровідникової кераміки та єдиним виробником у Китаї, який може одночасно надавати високочисту кераміку з карбіду кремнію (особливо рекристалізований SiC) і CVD покриття SiC. Крім того, наша компанія також займається керамічними галузями, такими як глинозем, нітрид алюмінію, цирконій, нітрид кремнію тощо.

 

Деталі продукту

Теги товарів

Епітаксія GaN на основі кремнію

Опис товару

Наша компанія надає послуги з нанесення покриття SiC методом CVD на поверхню графіту, кераміки та інших матеріалів, завдяки чому спеціальні гази, що містять вуглець і кремній, реагують при високій температурі для отримання високочистих молекул SiC, молекул, що осаджуються на поверхні покритих матеріалів, формування SIC захисного шару.

Основні особливості:

1. Стійкість до високотемпературного окислення:

Стійкість до окислення все ще дуже висока, коли температура досягає 1600 C.

2. Висока чистота: зроблено шляхом хімічного осадження з парової фази в умовах високотемпературного хлорування.

3. Стійкість до ерозії: висока твердість, компактна поверхня, дрібні частинки.

4. Стійкість до корозії: кислоти, луги, солі та органічні реагенти.

Основні характеристики покриття CVD-SIC

Властивості SiC-CVD

Кристалічна структура

FCC β фаза

Щільність

г/см³

3.21

Твердість

Твердість за Віккерсом

2500

Розмір зерна

мкм

2~10

Хімічна чистота

%

99,99995

Теплоємність

Дж·кг-1 ·К-1

640

Температура сублімації

2700

Згинальна сила

МПа (RT 4 точки)

415

Модуль Юнга

Gpa (вигин 4 точки, 1300 ℃)

430

Теплове розширення (CTE)

10-6К-1

4.5

Теплопровідність

(Вт/мК)

300

Місце роботи Semicera
Робоче місце Semicera 2
Обладнання машина
Обробка CNN, хімічне очищення, покриття CVD
Наш сервіс

  • Попередній:
  • далі: