Напівпровідникові пластини з карбіду кремнію (SiC), цей новий матеріал, який поступово з’явився протягом останніх років, з його унікальними фізичними та хімічними властивостями вніс нову життєву силу в напівпровідникову промисловість.Пластини SiC, які використовують як сировину монокристали, ретельно вирощують методом хімічного осадження з парової фази (CVD), і їх зовнішній вигляд надає можливості для виготовлення високотемпературних, високочастотних і потужних електронних пристроїв.
У галузі силової електроніки пластини SiC використовуються у виробництві високоефективних перетворювачів енергії, зарядних пристроїв, блоків живлення та інших виробів.У сфері зв'язку він використовується для виробництва високочастотних і високошвидкісних радіочастотних пристроїв і оптоелектронних пристроїв, закладаючи надійний наріжний камінь для магістралі інформаційної ери.У сфері автомобільної електроніки пластини SiC створюють високовольтні високонадійні автомобільні електронні пристрої для забезпечення безпеки водія під час руху.
З постійним прогресом технологій технологія виробництва пластин SiC стає все більш зрілою, а ціна поступово знижується.Цей новий матеріал демонструє великий потенціал у покращенні продуктивності пристрою, зниженні споживання енергії та підвищенні конкурентоспроможності продукції.Заглядаючи в майбутнє, пластини SiC відіграватимуть більш важливу роль у напівпровідниковій промисловості, приносячи більше зручності та безпеки в наше життя.
Давайте з нетерпінням чекатимемо на цю яскраву напівпровідникову зірку – пластину SiC, щоб майбутнє науково-технічного прогресу описало більш блискучу главу.
Час публікації: 27 листопада 2023 р