У сучасній галузі електронних технологій напівпровідникові матеріали відіграють вирішальну роль. Серед нихкарбід кремнію (SiC)як напівпровідниковий матеріал із широкою забороненою зоною, з його чудовими перевагами в продуктивності, такими як сильне електричне поле пробою, висока швидкість насичення, висока теплопровідність тощо, поступово стає в центрі уваги дослідників та інженерів. Theепітаксіальний диск з карбіду кремнію, як його важлива частина, продемонструвала великий потенціал застосування.
一、продуктивність епітаксійного диска: усі переваги
1. Надсильне електричне поле пробою: порівняно з традиційними кремнієвими матеріалами, електричне поле пробоюкарбід кремніюбільше ніж у 10 разів. Це означає, що за однакових умов напруги електронні пристрої використовуютьепітаксіальні диски з карбіду кремніюможе витримувати більш високі струми, таким чином створюючи високовольтні, високочастотні, потужні електронні пристрої.
2. Високошвидкісна швидкість насичення: швидкість насиченнякарбід кремніюбільш ніж у 2 рази перевищує кремній. Працюючи при високій температурі та високій швидкості,епітаксіальний диск з карбіду кремніюпрацює краще, що значно підвищує стабільність і надійність електронних пристроїв.
3. Високоефективна теплопровідність: теплопровідність карбіду кремнію більш ніж у 3 рази перевищує теплопровідність кремнію. Ця функція дозволяє електронним пристроям краще розсіювати тепло під час безперервної роботи на високій потужності, тим самим запобігаючи перегріванню та підвищуючи безпеку пристрою.
4. Чудова хімічна стабільність: в екстремальних умовах, таких як висока температура, високий тиск і сильне випромінювання, продуктивність карбіду кремнію залишається стабільною, як і раніше. Ця функція дозволяє епітаксіальному диску з карбіду кремнію підтримувати чудову продуктивність у складних умовах.
二、процес виробництва: ретельно вирізаний
Основні процеси виробництва епітаксійного диска SIC включають фізичне осадження з парової фази (PVD), хімічне осадження з парової фази (CVD) та епітаксійне нарощування. Кожен із цих процесів має свої особливості та потребує точного контролю різних параметрів для досягнення найкращих результатів.
1. Процес PVD: за допомогою випаровування або розпилення та інших методів мішень з SiC наноситься на підкладку з утворенням плівки. Плівка, отримана цим методом, має високу чистоту та добру кристалічність, але швидкість виробництва є відносно низькою.
2. Процес CVD: шляхом крекінгу вихідного газу карбіду кремнію при високій температурі він осідає на підкладці з утворенням тонкої плівки. Товщину та однорідність плівки, отриманої цим методом, можна контролювати, але чистота та кристалічність погані.
3. Епітаксійне зростання: зростання епітаксійного шару SiC на монокристалічному кремнії або інших монокристалічних матеріалах методом хімічного осадження з газової фази. Епітаксійний шар, отриманий цим методом, має хорошу відповідність і відмінні характеристики з матеріалом підкладки, але вартість є відносно високою.
三、Перспектива застосування: освітлюйте майбутнє
З безперервним розвитком технологій силової електроніки та зростаючим попитом на високопродуктивні та надійні електронні пристрої епітаксіальний диск із карбіду кремнію має широкі перспективи застосування у виробництві напівпровідникових пристроїв. Він широко використовується у виробництві високочастотних потужних напівпровідникових пристроїв, таких як силові електронні перемикачі, інвертори, випрямлячі тощо. Крім того, він також широко використовується в сонячних елементах, світлодіодах та інших сферах.
Завдяки своїм унікальним перевагам у продуктивності та постійному вдосконаленню виробничого процесу епітаксіальний диск із карбіду кремнію поступово демонструє свій великий потенціал у галузі напівпровідників. У нас є підстави вважати, що в майбутньому науки і техніки він відіграватиме більш важливу роль.
Час публікації: 28 листопада 2023 р