Збільште врожайність і продуктивність із сучасним барабанним реактором Semi-ceras

Короткий опис:

Semicera пропонує повний асортимент токоприймачів і графітових компонентів, розроблених для різних реакторів епітаксії.

Завдяки стратегічному партнерству з провідними виробниками комплектного обладнання, широкому досвіду роботи з матеріалами та розширеним виробничим можливостям Semicera пропонує індивідуальні конструкції, які відповідають конкретним вимогам вашого застосування. Наше прагнення до досконалості гарантує, що ви отримаєте оптимальні рішення для своїх потреб у епітаксійному реакторі.

 

 


Деталі продукту

Теги товарів

Наша компанія надаєSiC покриттяОбробляйте послуги на поверхні графіту, кераміки та інших матеріалів методом CVD, щоб спеціальні гази, що містять вуглець і кремній, могли реагувати при високій температурі з отриманням високочистих молекул Sic, які можна осідати на поверхні покритих матеріалів, утворюючиЗахисний шар SiCдля епітаксії бочкоподібного типу снодійний.

 

Основні особливості:

1. Високочистий графіт із покриттям SiC

2. Чудова термостійкість і теплова однорідність

3. ШтрафКристалічний шар SiCдля гладкої поверхні

4. Висока стійкість до хімічного очищення

 
Збільште врожайність і продуктивність із сучасним барабанним реактором Semi-ceras

Основні характеристикиПокриття CVD-SIC

Властивості SiC-CVD

Кристалічна структура FCC β фаза
Щільність г/см³ 3.21
Твердість Твердість за Віккерсом 2500
Розмір зерна мкм 2~10
Хімічна чистота % 99,99995
Теплоємність Дж·кг-1 ·К-1 640
Температура сублімації 2700
Згинальна сила МПа (RT 4 точки) 415
Модуль Юнга Gpa (вигин 4 точки, 1300 ℃) 430
Теплове розширення (CTE) 10-6К-1 4.5
Теплопровідність (Вт/мК) 300

 

 
2--cvd-sic-purity---99-99995-_60366
5----sic-crystal_242127
Місце роботи Semicera
Робоче місце Semicera 2
Обладнання машина
Обробка CNN, хімічне очищення, покриття CVD
Наш сервіс

  • Попередній:
  • далі: