Опис продукту
Наша компанія надає послуги з нанесення покриття SiC методом CVD на поверхню графіту, кераміки та інших матеріалів, завдяки чому спеціальні гази, що містять вуглець і кремній, реагують при високій температурі для отримання високочистих молекул SiC, молекул, що осаджуються на поверхні покритих матеріалів, формування SIC захисного шару.
Основні риси:
1. Стійкість до високотемпературного окислення:
Стійкість до окислення все ще дуже висока, коли температура досягає 1600 C.
2. Висока чистота: зроблено шляхом хімічного осадження з парової фази в умовах високотемпературного хлорування.
3. Стійкість до ерозії: висока твердість, компактна поверхня, дрібні частинки.
4. Стійкість до корозії: кислоти, луги, солі та органічні реагенти.
Основні характеристики покриття CVD-SIC
| Властивості SiC-CVD | ||
| Кристалічна структура | FCC β фаза | |
| Щільність | г/см³ | 3.21 |
| Твердість | Твердість за Віккерсом | 2500 |
| Розмір зерна | мкм | 2~10 |
| Хімічна чистота | % | 99,99995 |
| Теплоємність | Дж·кг-1 ·К-1 | 640 |
| Температура сублімації | ℃ | 2700 |
| Згинальна сила | МПа (RT 4 точки) | 415 |
| Модуль Юнга | Gpa (вигин 4 точки, 1300 ℃) | 430 |
| Теплове розширення (CTE) | 10-6К-1 | 4.5 |
| Теплопровідність | (Вт/мК) | 300 |
-
Спеціальний напівпровідниковий човен з карбіду кремнію...
-
Носії покриття SiC для травлення напівпровідників
-
Напівпровідникова епітаксія GaN на основі кремнію
-
Епітаксіальне осадження кремнію в стовбурі
-
Носій SiC для термообробки швидкого нагріву RTP/RTA...
-
Конструкція стовбура для токоприймача стовбура