Semicera надає спеціальні покриття з карбіду танталу (TaC) для різних компонентів і носіїв.Провідний процес нанесення покриттів Semicera дозволяє досягти високої чистоти, високотемпературної стабільності та високої хімічної стійкості покриттів із карбіду танталу (TaC), покращуючи якість кристалів SIC/GAN та шарів EPI (Сусцептор TaC з графітовим покриттям), а також подовження терміну служби ключових компонентів реактора.Використання покриття карбіду танталу TaC покликане вирішити проблему краю та покращити якість росту кристалів, а Semicera зробила прорив у розв’язанні технології покриття карбідом танталу (CVD), досягнувши передового міжнародного рівня.
Карбід кремнію (SiC) є ключовим матеріалом у третьому поколінні напівпровідників, але його продуктивність була обмежуючим фактором для розвитку промисловості.Після численних випробувань у лабораторіях Semicera було виявлено, що розпилений та спечений TaC не має необхідної чистоти та однорідності.Навпаки, процес CVD забезпечує рівень чистоти 5 частин на хвилину та відмінну однорідність.Використання CVD TaC значно покращує коефіцієнт виходу пластин карбіду кремнію.Ми вітаємо дискусіїНаправляюче кільце з карбіду танталу CVD покриття для подальшого зниження витрат на пластини SiC.
Після багатьох років розвитку Semicera підкорила технологіюССЗ TaCспільними зусиллями науково-дослідного відділу.Дефекти легко виникнути в процесі росту пластин SiC, але після використанняTaCрізниця суттєва.Нижче наведено порівняння пластин із та без TaC, а також частин Simicera для вирощування монокристалів.
![微信图片_20240227150045](http://www.semi-cera.com/uploads/acd12bbb1-300x225.png)
з та без TaC
![微信图片_20240227150053](http://www.semi-cera.com/uploads/b53a51be1-300x225.png)
Після використання TaC (справа)
Крім того, Semicera'sПродукти з покриттям TaCдемонструють довший термін служби та більшу стійкість до високих температур порівняно зSiC покриття.Лабораторні вимірювання показали, що нашПокриття TaCможе стабільно працювати при температурах до 2300 градусів Цельсія протягом тривалого часу.Нижче наведено кілька прикладів наших зразків:
![0(1)](http://www.semi-cera.com/uploads/01.png)
![Місце роботи Semicera](http://www.semi-cera.com/uploads/Semicera-Work-place2.jpg)
![Робоче місце Semicera 2](http://www.semi-cera.com/uploads/Semicera-work-place-22.jpg)
![Обладнання машина](http://www.semi-cera.com/uploads/Equipment-machine2.jpg)
![Будинок посуду Semicera](http://www.semi-cera.com/uploads/Semicera-Ware-House1.jpg)
![Обробка CNN, хімічне очищення, покриття CVD](http://www.semi-cera.com/uploads/CNN-processing-chemical-cleaning-CVD-coating2.jpg)
![Наш сервіс](http://www.semi-cera.com/uploads/Our-service3.jpg)
-
Верхній півмісяць із покриттям з карбіду танталу CVD
-
Спеціальні деталі з покриттям з карбіду танталу CVD
-
Трубки для росту кристалів SiC з вдосконаленим танталом...
-
Спеціальне кільце з покриттям CVD TaC
-
Пористий карбід танталу, матеріал гарячого поля для...
-
Графітове кільце з покриттям з карбіду танталу (TaC).