Суцільне кільце CVD SiC

Суцільне CVD SiC кільце. Представлене зображення

Короткий опис:

Суцільні кільця CVD SiC в основному складаються з карбіду кремнію (SiC) і мають відмінні фізичні та хімічні властивості. Карбід кремнію - це керамічний матеріал з високою температурою плавлення, високою твердістю та чудовою стійкістю до корозії. Він демонструє відмінну теплопровідність, хімічну стабільність і механічну міцність при високих температурах, а також має чудову стійкість до зношування та стирання.

Надішліть нам електронний лист

Деталі продукту

Теги товарів

Чому Solid CVD SiC Ring?

Суцільні кільця CVD SiCшироко використовуються в промислових і наукових сферах у високотемпературних, корозійних і абразивних середовищах. Він відіграє важливу роль у багатьох сферах застосування, зокрема:

1. Виробництво напівпровідників:Суцільні кільця CVD SiCможе використовуватися для нагріву та охолодження напівпровідникового обладнання, забезпечуючи стабільний контроль температури для забезпечення точності та узгодженості процесу.

2. Оптоелектроніка: завдяки чудовій теплопровідності та стійкості до високих температур,Суцільні кільця CVD SiCможуть використовуватися як опорні та тепловідвідні матеріали для лазерів, оптоволоконного комунікаційного обладнання та оптичних компонентів.

3. Прецизійне обладнання: тверді CVD SiC кільця можна використовувати для точних інструментів і обладнання, що працюють у високотемпературних і корозійних середовищах, таких як високотемпературні печі, вакуумні пристрої та хімічні реактори.

4. Хімічна промисловість: тверді CVD кільця SiC можна використовувати в контейнерах, трубах і реакторах у хімічних реакціях і каталітичних процесах завдяки їх стійкості до корозії та хімічній стабільності.

Наша перевага, чому вибрати Semicera?

✓Висока якість на китайському ринку

✓Хороше обслуговування завжди для вас, 7*24 години

✓Короткий термін доставки

✓Малий MOQ вітається та приймається

✓ Митні послуги

застосування

Сусцептор росту епітаксії

Для використання в електронних пристроях пластини кремнію/карбіду кремнію мають пройти кілька процесів. Важливим процесом є кремнієва епітаксія, при якій кремнієві пластини переносяться на графітову основу. Особливі переваги графітової основи Semicera, покритої карбідом кремнію, включають надзвичайно високу чистоту, рівномірне покриття та надзвичайно тривалий термін служби. Вони також мають високу хімічну стійкість і термостійкість.

Кремнієвий епітаксійний датчик

Епітаксія з карбіду кремнію

Виробництво світлодіодних мікросхем

Під час нанесення великого покриття на реактор MOCVD планетарна основа або носій переміщує пластину підкладки. Ефективність основного матеріалу має великий вплив на якість покриття, яке, у свою чергу, впливає на швидкість браку чіпа. Основа Semicera, покрита карбідом кремнію, підвищує ефективність виробництва високоякісних світлодіодних пластин і мінімізує відхилення довжини хвилі. Ми також постачаємо додаткові графітові компоненти для всіх реакторів MOCVD, які зараз використовуються. Ми можемо покрити майже будь-який компонент покриттям з карбіду кремнію, навіть якщо діаметр компонента становить до 1,5 М, ми все одно можемо нанести покриття з карбіду кремнію.

Світлодіодна епітаксія

Напівпровідникове поле, процес окислення дифузії, тощо

У напівпровідникових процесах процес окисного розширення вимагає високої чистоти продукту, і в Semicera ми пропонуємо послуги з нанесення покриттів на замовлення та CVD для більшості деталей з карбіду кремнію.

На наступному малюнку показано грубо оброблену суспензію карбіду кремнію Semicea та трубу печі з карбіду кремнію, очищену в 1000-рівеньбез пилукімната. Наші працівники працюють перед нанесенням покриття. Чистота нашого карбіду кремнію може досягати 99,99%, а чистота sic покриття перевищує 99,99995%.