Кремнієва плівка від Semicera — це високоякісний, точно розроблений матеріал, розроблений відповідно до суворих вимог напівпровідникової промисловості. Виготовлений із чистого кремнію, цей тонкоплівковий розчин забезпечує чудову однорідність, високу чистоту та виняткові електричні та термічні властивості. Він ідеально підходить для використання в різних напівпровідникових додатках, включаючи виробництво Si-пластини, SiC-підкладки, SOI-пластини, SiN-підкладки та Epi-Wafer. Кремнієва плівка Semicera забезпечує надійну та стабільну роботу, що робить її важливим матеріалом для передової мікроелектроніки.
Найвища якість і продуктивність для виробництва напівпровідників
Кремнієва плівка Semicera відома своєю видатною механічною міцністю, високою термічною стабільністю та низьким рівнем дефектів, що є ключовим у виготовленні високоефективних напівпровідників. Незалежно від того, чи використовується у виробництві пристроїв на основі оксиду галію (Ga2O3), пластин AlN або Epi-Wafers, плівка забезпечує міцну основу для осадження тонких плівок та епітаксійного росту. Його сумісність з іншими напівпровідниковими підкладками, такими як SiC Substrate і SOI Wafers, забезпечує безпроблемну інтеграцію в існуючі виробничі процеси, допомагаючи підтримувати високу продуктивність і постійну якість продукції.
Застосування в напівпровідниковій промисловості
У напівпровідниковій промисловості кремнієва плівка Semicera використовується в широкому діапазоні застосувань, від виробництва кремнієвих пластин і пластин SOI до більш спеціалізованих застосувань, таких як підкладка SiN і створення епіпластин. Висока чистота і точність цієї плівки роблять її важливою у виробництві передових компонентів, які використовуються у всьому, від мікропроцесорів і інтегральних схем до оптоелектронних пристроїв.
Кремнієва плівка відіграє вирішальну роль у напівпровідникових процесах, таких як епітаксійне зростання, з’єднання пластин і осадження тонких плівок. Його надійні властивості особливо цінні для галузей промисловості, які вимагають суворо контрольованого середовища, наприклад чистих кімнат на фабриках з виробництва напівпровідників. Крім того, кремнієву плівку можна інтегрувати в касетні системи для ефективної обробки та транспортування пластин під час виробництва.
Довгострокова надійність і постійність
Однією з ключових переваг використання Silicon Film Semicera є її довгострокова надійність. Завдяки чудовій довговічності та незмінній якості ця плівка є надійним рішенням для великосерійного виробництва. Незалежно від того, чи використовується вона у високоточних напівпровідникових пристроях чи передових електронних програмах, кремнієва плівка Semicera гарантує, що виробники зможуть досягти високої продуктивності та надійності в широкому діапазоні продуктів.
Чому варто вибрати кремнієву плівку Semicera?
Кремнієва плівка від Semicera є важливим матеріалом для передових застосувань у напівпровідниковій промисловості. Його високопродуктивні властивості, включаючи чудову термічну стабільність, високу чистоту та механічну міцність, роблять його ідеальним вибором для виробників, які прагнуть досягти найвищих стандартів у виробництві напівпровідників. Ця плівка забезпечує неперевершену якість і продуктивність, починаючи від Si Wafer і SiC Substrate до виробництва пристроїв з оксиду галію Ga2O3.
З кремнієвою плівкою Semicera ви можете довіряти продукту, який відповідає потребам сучасного виробництва напівпровідників, забезпечуючи надійну основу для електроніки наступного покоління.
Предмети | виробництво | дослідження | манекен |
Параметри кристала | |||
Політип | 4H | ||
Помилка орієнтації поверхні | <11-20 >4±0,15° | ||
Електричні параметри | |||
Допант | Азот n-типу | ||
Питомий опір | 0,015-0,025 Ом·см | ||
Механічні параметри | |||
Діаметр | 150,0±0,2 мм | ||
Товщина | 350±25 мкм | ||
Первинна плоска орієнтація | [1-100]±5° | ||
Первинна плоска довжина | 47,5±1,5 мм | ||
Вторинна квартира | жодного | ||
TTV | ≤5 мкм | ≤10 мкм | ≤15 мкм |
LTV | ≤3 мкм (5 мм * 5 мм) | ≤5 мкм (5 мм * 5 мм) | ≤10 мкм (5 мм * 5 мм) |
Лук | -15 мкм ~ 15 мкм | -35 мкм ~ 35 мкм | -45 мкм ~ 45 мкм |
Деформація | ≤35 мкм | ≤45 мкм | ≤55 мкм |
Шорсткість передньої (Si-face) (AFM) | Ra≤0,2 нм (5 мкм*5 мкм) | ||
Структура | |||
Щільність мікротрубки | <1 шт./см2 | <10 шт./см2 | <15 шт./см2 |
Металеві домішки | ≤5E10атомів/см2 | NA | |
BPD | ≤1500 еа/см2 | ≤3000 еа/см2 | NA |
ТСД | ≤500 еа/см2 | ≤1000 еа/см2 | NA |
Передня якість | |||
Фронт | Si | ||
Оздоблення поверхні | Si-face CMP | ||
частинки | ≤60 шт./вафля (розмір ≥0,3 мкм) | NA | |
Подряпини | ≤5ea/мм. Сукупна довжина ≤діаметра | Сукупна довжина≤2*Діаметр | NA |
Апельсинова кірка/ямки/плями/смуги/тріщини/забруднення | жодного | NA | |
Сколи/відступи/зломи/шестигранні пластини | жодного | ||
Політипні області | жодного | Сукупна площа≤20% | Сукупна площа≤30% |
Переднє лазерне маркування | жодного | ||
Якість задньої частини | |||
Задня обробка | C-грань CMP | ||
Подряпини | ≤5ea/мм, сукупна довжина≤2*діаметр | NA | |
Дефекти задньої частини (сколи/відступи на краях) | жодного | ||
Шорсткість спини | Ra≤0,2 нм (5 мкм*5 мкм) | ||
Лазерне маркування спини | 1 мм (від верхнього краю) | ||
Край | |||
Край | Фаска | ||
Упаковка | |||
Упаковка | Epi-ready з вакуумною упаковкою Упаковка мультивафельної касети | ||
*Примітки: "NA" означає відсутність запиту. Незгадані елементи можуть стосуватися SEMI-STD. |