Наша компанія надаєSiC покриттяОбробляйте послуги на поверхні графіту, кераміки та інших матеріалів методом CVD, щоб спеціальні гази, що містять вуглець і кремній, могли реагувати при високій температурі з отриманням високочистих молекул Sic, які можна осідати на поверхні покритих матеріалів, утворюючиЗахисний шар SiCдля епітаксії бочкоподібного типу снодійний.
Основні особливості:
1. Високочистий графіт із покриттям SiC
2. Чудова термостійкість і теплова однорідність
3. ШтрафКристалічний шар SiCдля гладкої поверхні
4. Висока стійкість до хімічного очищення
Основні характеристикиПокриття CVD-SIC
| Властивості SiC-CVD | ||
| Кристалічна структура | FCC β фаза | |
| Щільність | г/см³ | 3.21 |
| Твердість | Твердість за Віккерсом | 2500 |
| Розмір зерна | мкм | 2~10 |
| Хімічна чистота | % | 99,99995 |
| Теплоємність | Дж·кг-1 ·К-1 | 640 |
| Температура сублімації | ℃ | 2700 |
| Згинальна сила | МПа (RT 4 точки) | 415 |
| Модуль Юнга | Gpa (вигин 4 точки, 1300 ℃) | 430 |
| Теплове розширення (CTE) | 10-6К-1 | 4.5 |
| Теплопровідність | (Вт/мК) | 300 |
-
Епітаксіальний реактор з покриттям карбіду кремнію SiC...
-
Графітові фіксатори з покриттям з карбіду кремнію...
-
Напівпровідниковий монокристалічний кремній з покриттям SiC...
-
Квадратний човен з карбіду кремнію
-
Лоток MOCVD з антиокислювальним покриттям SiC високої чистоти
-
Графітові вафельні носії з покриттям з карбіду кремнію