-
Які існують способи полірування пластин?
З усіх процесів, пов’язаних зі створенням чіпа, остаточна доля пластини полягає в тому, щоб її розрізати на окремі штампи та упаковати в невеликі закриті коробки лише з кількома штифтами. Мікросхема буде оцінюватися за значеннями порогу, опору, струму і напруги, але ніхто не буде враховувати ...Читати далі -
Основи процесу епітаксіального росту SiC
Епітаксійний шар — це специфічна монокристалічна плівка, вирощена на пластині за допомогою епітаксійного процесу, а пластина підкладки та епітаксіальна плівка називаються епітаксійною пластиною. Вирощуючи епітаксіальний шар карбіду кремнію на провідній підкладці з карбіду кремнію, однорідний епітаксіальний шар карбіду кремнію...Читати далі -
Основні моменти контролю якості процесу упаковки напівпровідників
Ключові моменти для контролю якості в процесі упаковки напівпровідників. Наразі технологічна технологія упаковки напівпровідників значно вдосконалена та оптимізована. Однак із загальної точки зору процеси та методи упаковки напівпровідників ще не досягли найдосконалішої...Читати далі -
Проблеми в процесі упаковки напівпровідників
Сучасні технології упаковки напівпровідників поступово вдосконалюються, але ступінь застосування автоматизованого обладнання та технологій у упаковці напівпровідників безпосередньо визначає досягнення очікуваних результатів. Існуючі процеси упаковки напівпровідників все ще страждають від...Читати далі -
Дослідження та аналіз процесу упаковки напівпровідників
Огляд напівпровідникового процесу. Напівпровідниковий процес передусім передбачає застосування мікрофабрикатів і плівкових технологій для повного з’єднання чіпів та інших елементів у різних областях, таких як підкладки та каркаси. Це полегшує витяг свинцевих клем та інкапсуляцію з ...Читати далі -
Нові тенденції в напівпровідниковій промисловості: застосування технології захисних покриттів
Напівпровідникова промисловість є свідком безпрецедентного зростання, особливо у сфері силової електроніки з карбіду кремнію (SiC). З багатьма великими заводами по виробництву пластин, які будуються або розширюються, щоб задовольнити зростаючий попит на пристрої з SiC в електромобілях, це ...Читати далі -
Які основні етапи обробки підкладок SiC?
Ми виконуємо наступні етапи обробки для підкладок SiC: 1. Орієнтація кристала: використання рентгенівської дифракції для орієнтації кристалічного злитка. Коли промінь рентгенівського випромінювання направляється на потрібну грань кристала, кут дифрагованого променя визначає орієнтацію кристала...Читати далі -
Важливий матеріал, який визначає якість вирощування монокристалів кремнію – теплове поле
Процес вирощування монокристалічного кремнію повністю здійснюється в тепловому полі. Хороше теплове поле сприяє покращенню якості кристалів і має високу ефективність кристалізації. Конструкція теплового поля багато в чому визначає зміни і зміни...Читати далі -
Що таке епітаксійне зростання?
Епітаксійне вирощування — це технологія, яка вирощує монокристалічний шар на монокристалічній підкладці (підкладці) з такою ж орієнтацією кристала, що й підкладка, ніби вихідний кристал витягнувся назовні. Цей нещодавно вирощений монокристалічний шар може відрізнятися від підкладки за...Читати далі -
Яка різниця між підкладкою та епітаксією?
У процесі підготовки пластин є дві основні ланки: одна – це підготовка підкладки, а інша – здійснення епітаксійного процесу. Підкладка, пластина, ретельно виготовлена з напівпровідникового монокристалічного матеріалу, може бути безпосередньо поміщена у виробництво пластини ...Читати далі -
Розкриття різноманітних характеристик графітових обігрівачів
Графітові нагрівачі стали незамінними інструментами в різних галузях промисловості завдяки своїм винятковим властивостям і універсальності. Від лабораторій до промислових установок ці нагрівачі відіграють ключову роль у процесах, починаючи від синтезу матеріалів і закінчуючи аналітичними методами. Серед різноманітних ...Читати далі -
Детальне пояснення переваг і недоліків сухого та мокрого травлення
У виробництві напівпровідників існує техніка під назвою «травління» під час обробки підкладки або тонкої плівки, сформованої на підкладці. Розвиток технології травлення зіграв певну роль у реалізації прогнозу, зробленого засновником Intel Гордоном Муром у 1965 році, що «...Читати далі