-
Процес виробництва напівпровідників – технологія травлення
Щоб перетворити пластину в напівпровідник, потрібні сотні процесів. Одним із найважливіших процесів є травлення, тобто різьблення тонких схемних візерунків на пластині. Успіх процесу травлення залежить від керування різними змінними в межах заданого діапазону розподілу, і кожне травлення...Читати далі -
Ідеальний матеріал для кілець фокусування в обладнанні для плазмового травлення: карбід кремнію (SiC)
В обладнанні для плазмового травлення керамічні компоненти відіграють вирішальну роль, включаючи кільце фокусування. Кільце фокусування, розташоване навколо пластини та в прямому контакті з нею, має важливе значення для фокусування плазми на пластині шляхом подачі напруги на кільце. Це посилює не...Читати далі -
Передній кінець лінії (FEOL): закладка фундаменту
Передня частина виробничої лінії схожа на закладення фундаменту та зведення стін будинку. У виробництві напівпровідників цей етап передбачає створення базових структур і транзисторів на кремнієвій пластині. Ключові кроки FEOL: ...Читати далі -
Вплив обробки монокристалів карбіду кремнію на якість поверхні пластини
Напівпровідникові пристрої живлення займають ключову позицію в силових електронних системах, особливо в контексті швидкого розвитку таких технологій, як штучний інтелект, зв’язок 5G і нові енергетичні транспортні засоби, вимоги до продуктивності для них були...Читати далі -
Основний матеріал ядра для росту SiC: покриття з карбіду танталу
В даний час серед напівпровідників третього покоління домінує карбід кремнію. У структурі собівартості його пристроїв підкладка займає 47%, а епітаксія — 23%. Ці два разом складають близько 70%, що є найважливішою частиною виробництва пристроїв з карбіду кремнію...Читати далі -
Як вироби з покриттям з карбіду танталу підвищують стійкість матеріалів до корозії?
Покриття з карбіду танталу є широко використовуваною технологією обробки поверхні, яка може значно підвищити стійкість матеріалів до корозії. Покриття з карбіду танталу можна нанести на поверхню підкладки за допомогою різних методів підготовки, таких як хімічне осадження з парової фази, фіз.Читати далі -
Вчора Рада з науково-технічних інновацій опублікувала оголошення про те, що Huazhuo Precision Technology припинила IPO!
Щойно оголосили про поставку першого 8-дюймового обладнання для лазерного відпалу SIC у Китай, яке також є технологією Tsinghua; Чому самі вилучили матеріали? Кілька слів: по-перше, продукти надто різноманітні! На перший погляд, я не знаю, що вони роблять. В даний час Х...Читати далі -
CVD покриття з карбіду кремнію-2
CVD покриття з карбіду кремнію 1. Навіщо існує покриття з карбіду кремнію Епітаксійний шар — це специфічна монокристалічна тонка плівка, вирощена на основі пластини за допомогою епітаксійного процесу. Пластина підкладки та епітаксіальна тонка плівка разом називаються епітаксіальними пластинами. Серед них...Читати далі -
Процес підготовки SIC покриття
В даний час методи підготовки покриття SiC в основному включають метод гель-золя, метод вбудовування, метод покриття пензлем, метод плазмового розпилення, метод хімічної реакції з парів (CVR) і метод хімічного осадження з парів (CVD). Метод вбудовуванняЦей метод є різновидом високотемпературного твердофазного ...Читати далі -
CVD покриття з карбіду кремнію-1
Що таке CVD SiC Хімічне осадження з парової фази (CVD) – це процес вакуумного осадження, який використовується для виробництва твердих матеріалів високої чистоти. Цей процес часто використовується у сфері виробництва напівпровідників для формування тонких плівок на поверхні пластин. У процесі приготування SiC методом CVD підкладка експ...Читати далі -
Аналіз дислокаційної структури в кристалі SiC шляхом моделювання трасування променів за допомогою рентгенівського топологічного зображення
Передумови дослідження Важливість застосування карбіду кремнію (SiC): як широкозонний напівпровідниковий матеріал, карбід кремнію привернув велику увагу завдяки своїм чудовим електричним властивостям (таким як більша заборонена зона, вища швидкість насичення електронів і теплопровідність). Ці опори...Читати далі -
Процес підготовки затравкових кристалів у вирощуванні монокристалів SiC 3
Перевірка росту Затравкові кристали карбіду кремнію (SiC) були підготовлені відповідно до описаного процесу та підтверджені шляхом вирощування кристалів SiC. Використаною платформою для вирощування була індукційна вирощувальна піч SiC власної розробки з температурою вирощування 2200 ℃, тиском вирощування 200 Па та вирощуванням...Читати далі