Semicera High PurityВесло з карбіду кремніюретельно розроблено, щоб відповідати суворим вимогам сучасних процесів виробництва напівпровідників. ЦеКонсольне весло SiCвідмінно підходить для високотемпературних середовищ, пропонуючи неперевершену термостабільність і механічну довговічність. Консольна структура SiC розроблена таким чином, щоб витримувати екстремальні умови, забезпечуючи надійне поводження з пластинами під час різних процесів.
Одне з ключових нововведеньSiC веслоце його легка, але міцна конструкція, яка дозволяє легко інтегрувати в існуючі системи. Його висока теплопровідність допомагає підтримувати стабільність пластини під час критичних етапів, таких як травлення та осадження, зводячи до мінімуму ризик пошкодження пластини та забезпечуючи вищу продуктивність. Використання карбіду кремнію високої щільності в конструкції весла підвищує його стійкість до зношування, забезпечуючи подовжений термін експлуатації та зменшуючи потребу в частій заміні.
Semicera робить сильний акцент на інноваціях, надаючи aКонсольне весло SiCщо не тільки відповідає галузевим стандартам, але й перевищує їх. Ця пластина оптимізована для використання в різних напівпровідникових додатках, від осадження до травлення, де точність і надійність є вирішальними. Інтегруючи цю передову технологію, виробники можуть розраховувати на підвищення ефективності, зниження витрат на обслуговування та постійну якість продукції.
| Фізичні властивості перекристалізованого карбіду кремнію | |
| Власність | Типове значення |
| Робоча температура (°C) | 1600°C (з киснем), 1700°C (відновне середовище) |
| Вміст SiC | > 99,96% |
| Безкоштовний вміст Si | < 0,1% |
| Насипна щільність | 2,60-2,70 г/см3 |
| Видима пористість | < 16% |
| Міцність на стиск | > 600 МПа |
| Міцність на холодний вигин | 80-90 МПа (20°C) |
| Міцність на гарячий вигин | 90-100 МПа (1400°C) |
| Теплове розширення @1500°C | 4,70 10-6/°C |
| Теплопровідність @1200°C | 23 Вт/м•К |
| Модуль пружності | 240 ГПа |
| Стійкість до термічного удару | Надзвичайно добре |
