Сировина високої чистоти CVD SiC від Semicera — це передовий матеріал, розроблений для використання у високопродуктивних програмах, які вимагають виняткової термічної стабільності, твердості та електричних властивостей. Виготовлений із високоякісного карбіду кремнію за допомогою хімічного осадження з парової фази (CVD), цей сировинний матеріал забезпечує виняткову чистоту та консистенцію, що робить його ідеальним для виробництва напівпровідників, високотемпературних покриттів та інших точних промислових застосувань.
Сировина Semicera High Purity CVD SiC відома своєю чудовою стійкістю до зношування, окислення та термічного удару, що забезпечує надійну роботу навіть у найвимогливіших умовах. Незалежно від того, чи використовується він у виробництві напівпровідникових пристроїв, абразивних інструментів чи вдосконалених покриттів, цей матеріал забезпечує надійну основу для високопродуктивних застосувань, які вимагають найвищих стандартів чистоти та точності.
Завдяки високочистій CVD SiC сировині Semicera виробники можуть досягти найвищої якості продукції та ефективності роботи. Цей матеріал підтримує низку галузей промисловості, від електроніки до енергетики, пропонуючи неперевершену довговічність і продуктивність.
Карбід кремнію високої чистоти Semicera CVD має такі характеристики:
▪Висока чистота:надзвичайно низький вміст домішок, що забезпечує надійність пристрою.
▪Висока кристалічність:досконала кристалічна структура, яка сприяє покращенню продуктивності пристрою.
▪Низька щільність дефектів:мала кількість дефектів, що знижує струм витоку пристрою.
▪Великий розмір:підкладки з карбіду кремнію великого розміру можуть бути надані для задоволення потреб різних клієнтів.
▪Індивідуальний сервіс:різні типи та специфікації матеріалів з карбіду кремнію можна налаштувати відповідно до потреб замовника.
Переваги продукту
▪ Широка заборонена зона:Карбід кремнію має широку ширину забороненої зони, що дозволяє йому мати відмінну продуктивність у суворих умовах, таких як висока температура, високий тиск і висока частота.
▪Висока напруга пробою:Пристрої з карбіду кремнію мають вищу напругу пробою і можуть виготовляти пристрої більшої потужності.
▪Висока теплопровідність:Карбід кремнію має чудову теплопровідність, що сприяє розсіюванню тепла пристрою.
▪Висока рухливість електронів:Прилади з карбіду кремнію мають більш високу рухливість електронів, що може збільшити робочу частоту пристрою.