8-дюймові пластини SiC N-типу від Semicera знаходяться в авангарді напівпровідникових інновацій, забезпечуючи міцну основу для розробки високопродуктивних електронних пристроїв. Ці пластини розроблені для задоволення суворих вимог сучасних електронних програм, від силової електроніки до високочастотних схем.
Легування N-типу в цих пластинах SiC покращує їх електропровідність, що робить їх ідеальними для широкого спектру застосувань, включаючи силові діоди, транзистори та підсилювачі. Чудова провідність забезпечує мінімальні втрати енергії та ефективну роботу, що є критичним для пристроїв, що працюють на високих частотах і рівнях потужності.
Semicera використовує передові технології виробництва для виробництва пластин SiC з винятковою однорідністю поверхні та мінімальними дефектами. Цей рівень точності важливий для застосувань, які вимагають сталої продуктивності та довговічності, наприклад, в аерокосмічній, автомобільній та телекомунікаційній галузях.
Включення 8-дюймових пластин SiC N-типу Semicera у вашу виробничу лінію створює основу для створення компонентів, які можуть витримувати суворі умови та високі температури. Ці пластини ідеально підходять для застосувань у сфері перетворення електроенергії, радіочастотних технологій та інших складних галузей.
Вибір 8-дюймових SiC пластин N-типу Semicera означає інвестування в продукт, який поєднує в собі високоякісне матеріалознавство з точною інженерією. Semicera прагне вдосконалювати можливості напівпровідникових технологій, пропонуючи рішення, які підвищують ефективність і надійність ваших електронних пристроїв.
Предмети | виробництво | дослідження | манекен |
Параметри кристала | |||
Політип | 4H | ||
Помилка орієнтації поверхні | <11-20 >4±0,15° | ||
Електричні параметри | |||
Допант | Азот n-типу | ||
Питомий опір | 0,015-0,025 Ом·см | ||
Механічні параметри | |||
Діаметр | 150,0±0,2 мм | ||
Товщина | 350±25 мкм | ||
Первинна плоска орієнтація | [1-100]±5° | ||
Первинна плоска довжина | 47,5±1,5 мм | ||
Вторинна квартира | жодного | ||
TTV | ≤5 мкм | ≤10 мкм | ≤15 мкм |
LTV | ≤3 мкм (5 мм * 5 мм) | ≤5 мкм (5 мм * 5 мм) | ≤10 мкм (5 мм * 5 мм) |
Лук | -15 мкм ~ 15 мкм | -35 мкм ~ 35 мкм | -45 мкм ~ 45 мкм |
Деформація | ≤35 мкм | ≤45 мкм | ≤55 мкм |
Шорсткість передньої (Si-face) (AFM) | Ra≤0,2 нм (5 мкм*5 мкм) | ||
Структура | |||
Щільність мікротрубки | <1 шт./см2 | <10 шт./см2 | <15 шт./см2 |
Металеві домішки | ≤5E10атомів/см2 | NA | |
BPD | ≤1500 еа/см2 | ≤3000 еа/см2 | NA |
ТСД | ≤500 еа/см2 | ≤1000 еа/см2 | NA |
Передня якість | |||
Фронт | Si | ||
Оздоблення поверхні | Si-face CMP | ||
частинки | ≤60 шт./вафля (розмір ≥0,3 мкм) | NA | |
Подряпини | ≤5ea/мм. Сукупна довжина ≤діаметра | Сукупна довжина≤2*Діаметр | NA |
Апельсинова кірка/ямки/плями/смуги/тріщини/забруднення | жодного | NA | |
Сколи/відступи/зломи/шестигранні пластини | жодного | ||
Політипні області | жодного | Сукупна площа≤20% | Сукупна площа≤30% |
Переднє лазерне маркування | жодного | ||
Якість задньої частини | |||
Задня обробка | C-грань CMP | ||
Подряпини | ≤5ea/мм, сукупна довжина≤2*діаметр | NA | |
Дефекти задньої частини (сколи/відступи на краях) | жодного | ||
Шорсткість спини | Ra≤0,2 нм (5 мкм*5 мкм) | ||
Лазерне маркування спини | 1 мм (від верхнього краю) | ||
Край | |||
Край | Фаска | ||
Упаковка | |||
Упаковка | Epi-ready з вакуумною упаковкою Упаковка мультивафельної касети | ||
*Примітки: "NA" означає відсутність запиту. Незгадані елементи можуть стосуватися SEMI-STD. |