8-дюймова пластина SiC N-типу

Короткий опис:

8-дюймові пластини SiC N-типу Semicera розроблені для передових застосувань у потужній та високочастотній електроніці. Ці пластини забезпечують чудові електричні та теплові властивості, забезпечуючи ефективну роботу в складних умовах. Semicera пропонує інновації та надійність у напівпровідникових матеріалах.


Деталі продукту

Теги товарів

8-дюймові пластини SiC N-типу від Semicera знаходяться в авангарді напівпровідникових інновацій, забезпечуючи міцну основу для розробки високопродуктивних електронних пристроїв. Ці пластини розроблені для задоволення суворих вимог сучасних електронних програм, від силової електроніки до високочастотних схем.

Легування N-типу в цих пластинах SiC покращує їх електропровідність, що робить їх ідеальними для широкого спектру застосувань, включаючи силові діоди, транзистори та підсилювачі. Чудова провідність забезпечує мінімальні втрати енергії та ефективну роботу, що є критичним для пристроїв, що працюють на високих частотах і рівнях потужності.

Semicera використовує передові технології виробництва для виробництва пластин SiC з винятковою однорідністю поверхні та мінімальними дефектами. Цей рівень точності важливий для застосувань, які вимагають сталої продуктивності та довговічності, наприклад, в аерокосмічній, автомобільній та телекомунікаційній галузях.

Включення 8-дюймових пластин SiC N-типу Semicera у вашу виробничу лінію створює основу для створення компонентів, які можуть витримувати суворі умови та високі температури. Ці пластини ідеально підходять для застосувань у сфері перетворення електроенергії, радіочастотних технологій та інших складних галузей.

Вибір 8-дюймових SiC пластин N-типу Semicera означає інвестування в продукт, який поєднує в собі високоякісне матеріалознавство з точною інженерією. Semicera прагне вдосконалювати можливості напівпровідникових технологій, пропонуючи рішення, які підвищують ефективність і надійність ваших електронних пристроїв.

Предмети

виробництво

дослідження

манекен

Параметри кристала

Політип

4H

Помилка орієнтації поверхні

<11-20 >4±0,15°

Електричні параметри

Допант

Азот n-типу

Питомий опір

0,015-0,025 Ом·см

Механічні параметри

Діаметр

150,0±0,2 мм

Товщина

350±25 мкм

Первинна плоска орієнтація

[1-100]±5°

Первинна плоска довжина

47,5±1,5 мм

Вторинна квартира

Жодного

TTV

≤5 мкм

≤10 мкм

≤15 мкм

LTV

≤3 мкм (5 мм * 5 мм)

≤5 мкм (5 мм * 5 мм)

≤10 мкм (5 мм * 5 мм)

Лук

-15 мкм ~ 15 мкм

-35 мкм ~ 35 мкм

-45 мкм ~ 45 мкм

Деформація

≤35 мкм

≤45 мкм

≤55 мкм

Шорсткість передньої (Si-face) (AFM)

Ra≤0,2 нм (5 мкм*5 мкм)

Структура

Щільність мікротрубки

<1 шт./см2

<10 шт./см2

<15 шт./см2

Металеві домішки

≤5E10атомів/см2

NA

BPD

≤1500 еа/см2

≤3000 еа/см2

NA

ТСД

≤500 еа/см2

≤1000 еа/см2

NA

Передня якість

Фронт

Si

Оздоблення поверхні

Si-face CMP

частинки

≤60 шт./вафля (розмір ≥0,3 мкм)

NA

Подряпини

≤5ea/мм. Сукупна довжина ≤діаметра

Сукупна довжина≤2*Діаметр

NA

Апельсинова кірка/ямки/плями/смуги/тріщини/забруднення

Жодного

NA

Сколи/відступи/зломи/шестигранні пластини

Жодного

Політипні області

Жодного

Сукупна площа≤20%

Сукупна площа≤30%

Переднє лазерне маркування

Жодного

Якість задньої частини

Задня обробка

C-грань CMP

Подряпини

≤5ea/мм, сукупна довжина≤2*діаметр

NA

Дефекти задньої частини (сколи/відступи на краях)

Жодного

Шорсткість спини

Ra≤0,2 нм (5 мкм*5 мкм)

Лазерне маркування спини

1 мм (від верхнього краю)

Край

Край

Фаска

Упаковка

Упаковка

Epi-ready з вакуумною упаковкою

Упаковка мультивафельної касети

*Примітки: "NA" означає відсутність запиту. Незгадані елементи можуть стосуватися SEMI-STD.

тех_1_2_розм
SiC пластини

  • Попередній:
  • далі: