6-дюймова склеювальна пластина LiNbO3 від Semicera розроблена відповідно до суворих стандартів напівпровідникової промисловості, забезпечуючи неперевершену продуктивність як у дослідницьких, так і у виробничих середовищах. Незалежно від того, чи йдеться про оптоелектроніку високого класу, MEMS чи передову упаковку напівпровідників, ця сполучна пластина забезпечує надійність і довговічність, необхідні для розробки передових технологій.
У напівпровідниковій промисловості 6-дюймова пластина LiNbO3 Bonding Wafer широко використовується для склеювання тонких шарів в оптоелектронних пристроях, датчиках і мікроелектромеханічних системах (MEMS). Його виняткові властивості роблять його цінним компонентом для додатків, які вимагають точної інтеграції шарів, наприклад, у виготовленні інтегральних схем (IC) і фотонних пристроїв. Висока чистота пластини забезпечує оптимальну продуктивність кінцевого продукту, мінімізуючи ризик забруднення, яке може вплинути на надійність пристрою.
Теплові та електричні властивості LiNbO3 | |
Температура плавлення | 1250 ℃ |
Температура Кюрі | 1140 ℃ |
Теплопровідність | 38 Вт/м/К при 25 ℃ |
Коефіцієнт теплового розширення (при 25°C) | //a,2,0×10-6/К //c,2,2×10-6/К |
Питомий опір | 2×10-6Ω·см при 200 ℃ |
Діелектрична проникність | εS11/ε0=43,εT11/ε0=78 εS33/ε0=28,εT33/ε0= 2 |
П'єзоелектрична стала | D22=2,04×10-11C/N D33=19,22×10-11C/N |
Електрооптичний коефіцієнт | γT33=32 пм/В, γS33=31 pm/V, γT31=10 пм/В, γS31=8,6 пм/В, γT22=6,8 пм/В, γS22=3,4 пм/В, |
Напруга півхвилі, DC | 3,03 кВ 4,02 кВ |
6-дюймова пластина LiNbO3 Bonding Wafer від Semicera спеціально розроблена для передових застосувань у напівпровідниковій та оптоелектронній промисловості. Відома своєю чудовою зносостійкістю, високою термічною стабільністю та винятковою чистотою, ця сполучна пластина ідеально підходить для виробництва високопродуктивних напівпровідників, забезпечуючи тривалу надійність і точність навіть у складних умовах.
Створена за передовою технологією, 6-дюймова пластина LiNbO3 Bonding Wafer забезпечує мінімальне забруднення, що має вирішальне значення для процесів виробництва напівпровідників, які вимагають високого рівня чистоти. Його відмінна термічна стабільність дозволяє йому витримувати підвищені температури без шкоди для структурної цілісності, що робить його надійним вибором для високотемпературного склеювання. Крім того, надзвичайна зносостійкість пластини гарантує стабільну роботу протягом тривалого використання, забезпечуючи тривалу довговічність і зменшуючи потребу в частій заміні.