Підкладка P-типу 4H-SiC 2~6 дюймів під кутом 4°

Підкладки 4H-SiC P-типу Semicera розміром 2~6 дюймів із кутом нахилу 4° розроблені для задоволення зростаючих потреб виробників високопродуктивних джерел живлення та радіочастотних пристроїв. Орієнтація під кутом 4° забезпечує оптимізоване епітаксіальне зростання, що робить цю підкладку ідеальною основою для цілого ряду напівпровідникових пристроїв, у тому числі MOSFET, IGBT і діодів.

Ця підкладка P-типу 4H-SiC розміром 2~6 дюймів із кутом нахилу 4° має відмінні властивості матеріалу, зокрема високу теплопровідність, відмінні електричні характеристики та виняткову механічну стабільність. Некутова орієнтація допомагає зменшити щільність мікротрубок і сприяє більш гладким епітаксійним шарам, що має вирішальне значення для підвищення продуктивності та надійності кінцевого напівпровідникового пристрою.

Підкладки 4H-SiC P-типу Semicera розміром 2~6 дюймів із кутом нахилу 4° доступні в різних діаметрах, від 2 до 6 дюймів, щоб відповідати різним виробничим вимогам. Наші підкладки точно розроблені для забезпечення рівномірних рівнів легування та високоякісних характеристик поверхні, гарантуючи, що кожна пластина відповідає суворим специфікаціям, необхідним для передових електронних застосувань.

Прихильність Semicera до інновацій та якості гарантує, що наші 4H-SiC підкладки P-типу розміром 2~6 дюймів під кутом 4° забезпечать стабільну продуктивність у широкому діапазоні застосувань від силової електроніки до високочастотних пристроїв. Цей продукт є надійним рішенням для наступного покоління енергоефективних високоефективних напівпровідників, що підтримує технологічні досягнення в таких галузях, як автомобільна промисловість, телекомунікації та відновлювана енергетика.